Антава

VISHAY

Транзистор SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
27.5 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7456CDP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current27.5 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation35.7 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance31.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.5A; Idm: 50A

Документация

Документы пока не предоставлены.