Антава

VISHAY

Транзистор SI7386DP-T1-E3

SI7386DP-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
19A
Pulsed drain current
50A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7386DP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current19A
Pulsed drain current50A
Power dissipation5W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W

Документация

Документы пока не предоставлены.