Антава

VISHAY

Транзистор SI7374DP-T1-E3

SI7374DP-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET + Schottky
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
24 A
Pulsed drain current
100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7374DP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET + Schottky
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current24 A
Pulsed drain current100 A
Power dissipation56 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge122nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A

Документация

Документы пока не предоставлены.