Антава

VISHAY

Транзистор SI7370DP-T1-E3

SI7370DP-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
15.8 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7370DP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current15.8 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation5.2 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge57nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 15.8A; Idm: 50A

Документация

Документы пока не предоставлены.