VISHAY

Транзистор SI7309DN-T1-E3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -8 A
Pulsed drain current: -20 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7309DN-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-8 A
Pulsed drain current	-20 A
Power dissipation	19.8 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	146 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	22nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.