Антава

VISHAY

Транзистор SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 782 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%400,08 ₽

Сумма · с НДС 22%400,08 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1400,08 ₽
от 5340,53 ₽
от 10299,59 ₽
от 50212,14 ₽
от 100182,36 ₽
от 500161,89 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI7288DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current20 A
Pulsed drain current50 A
Рассеиваемая мощность15.6 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A

Документация

Документы пока не предоставлены.