Антава

VISHAY

Транзистор SI7252DP-T1-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
29.2A
Pulsed drain current
80A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7252DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current29.2A
Pulsed drain current80A
Power dissipation29W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance21mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29.2A; 29W

Документация

Документ производителя