VISHAY

Транзистор SI7232DN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 25 A
Pulsed drain current: 40 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7232DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	25 A
Pulsed drain current	40 A
Power dissipation	23 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	24 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	32nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A

Документация

Документы пока не предоставлены.