VISHAY

Транзистор SI7212DN-T1-E3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 20A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7212DN-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30V
Drain current	6.8A
Pulsed drain current	20A
Power dissipation	2.6W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±12V
On-state resistance	39mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	11nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.