VISHAY

Транзистор SI7155DP-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -100 A
Pulsed drain current: -200 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7155DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-100 A
Pulsed drain current	-200 A
Power dissipation	104 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	4.6 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	330nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A

Документация

Документы пока не предоставлены.