Антава

VISHAY

Транзистор SI7153DN-T1-GE3

SI7153DN-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-18A
Pulsed drain current
-100A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7153DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-18A
Pulsed drain current-100A
Power dissipation52W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±25V
On-state resistance15mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -100A

Документация

Документ производителя