VISHAY
Транзистор SI7149ADP-T1-GE3
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- TrenchFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -50 A
- Рассеиваемая мощность
- 31 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 312 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%364,58 ₽
Сумма · с НДС 22%364,58 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 364,58 ₽ | |
| от 10 | 226,69 ₽ | |
| от 50 | 181,03 ₽ | |
| от 100 | 163,88 ₽ | |
| от 500 | 127,24 ₽ | |
| от 1000 | 112,98 ₽ | |
| от 1500 | 105,22 ₽ | |
| от 3000 | 92,23 ₽ | |
| от 6000 | 79,77 ₽ | |
| от 9000 | 77,61 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SI7149ADP-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -50 A |
| Рассеиваемая мощность | 31 W |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Gate-source voltage | ±25 V |
| On-state resistance | 9.5 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 43.1nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.