VISHAY

Транзистор SI7137DP-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -100A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7137DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-60A
Pulsed drain current	-100A
Power dissipation	66.6W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±12V
On-state resistance	1.95mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	585nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A

Документация

Документы пока не предоставлены.