VISHAY

Транзистор SI7119DN-T1-E3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200 V
Drain current: -1.2 A
Pulsed drain current: -5 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7119DN-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-200 V
Drain current	-1.2 A
Pulsed drain current	-5 A
Power dissipation	33 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	1.05 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	25nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -200V; -1.2A; Idm: -5A

Документация

Документы пока не предоставлены.