Антава

VISHAY

Транзистор SI7116DN-T1-E3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
16.4 A
Pulsed drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7116DN-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current16.4 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation3.8 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.4A; Idm: 60A

Документация

Документы пока не предоставлены.