Антава

VISHAY

Транзистор SI7114DN-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
18.3 A
Pulsed drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI7114DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current18.3 A
Pulsed drain current60 A
Рассеиваемая мощность3.8 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18.3A; Idm: 60A

Документация

Документы пока не предоставлены.