VISHAY

Транзистор SI7108DN-T1-E3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7108DN-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20V
Drain current	22A
Pulsed drain current	60A
Power dissipation	3.8W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±16V
On-state resistance	6.1mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	30nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.