Антава

VISHAY

Транзистор SI6926ADQ-T1-E3

SI6926ADQ-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
3.6 A
Pulsed drain current
20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI6926ADQ-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current3.6 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation1 W
КорпусTSSOP8
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance43 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 20A

Документация

Документ производителя