VISHAY

Транзистор SI6913DQ-T1-GE3

TSSOP8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12 V
Drain current: -5.8 A
Pulsed drain current: -30 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI6913DQ-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12 V
Drain current	-5.8 A
Pulsed drain current	-30 A
Рассеиваемая мощность	1.14 W
Корпус	TSSOP8
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	37 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	28nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.8A; 1.14W

Документация

Документы пока не предоставлены.