Антава

VISHAY

Транзистор SI6562CDQ-T1-GE3

SI6562CDQ-T1-GE3
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20/-20 V
Drain current
4.2/-4.9 A
Pulsed drain current
30 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI6562CDQ-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20/-20 V
Drain current4.2/-4.9 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation1/1.1 W
КорпусTSSOP8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance22/30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23/51nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A

Документация

Документы пока не предоставлены.