VISHAY

Транзистор SI6423ADQ-T1-GE3

TSSOP8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -12.5 A
Рассеиваемая мощность: 2.2 W
Корпус: TSSOP8

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI6423ADQ-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-12.5 A
Рассеиваемая мощность	2.2 W
Корпус	TSSOP8
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	9.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.5A; 2.2W; TSSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.