VISHAY

Транзистор SI5936DU-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 6 A
Pulsed drain current: 25 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI5936DU-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	6 A
Pulsed drain current	25 A
Power dissipation	10.4 W
Корпус	ChipFET8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	40 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	11nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Case - inch	1206
Case - mm	3216

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A

Документация

Документы пока не предоставлены.