VISHAY

Транзистор SI5935CDC-T1-E3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -10A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI5935CDC-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET x2
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-4A
Pulsed drain current	-10A
Power dissipation	2W
Корпус	ChipFET8
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	156mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	11nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Case - inch	1206
Case - mm	3216

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A

Документация

Документы пока не предоставлены.