Антава

VISHAY

Транзистор SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-2.4 A
Pulsed drain current
-25 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 709 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%376,75 ₽

Сумма · с НДС 22%376,75 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1376,75 ₽
от 10260,16 ₽
от 50192,87 ₽
от 100168,69 ₽
от 500122,96 ₽
от 1000106,84 ₽
от 250088,47 ₽
от 500083,22 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4948BEY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-2.4 A
Pulsed drain current-25 A
Рассеиваемая мощность0.95 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W

Документация

Документ производителя