Антава

VISHAY

Транзистор SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3
Type of transistor
P-MOSFET x2
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-2.4A
Pulsed drain current
-25A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI4948BEY-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET x2
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-2.4A
Pulsed drain current-25A
Power dissipation0.95W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.15Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W

Документация

Документы пока не предоставлены.