VISHAY

Транзистор SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -8 A
Pulsed drain current: -30 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI4943CDY-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-8 A
Pulsed drain current	-30 A
Power dissipation	3.1 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	33 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	62nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A

Документация

Документы пока не предоставлены.