VISHAY

Транзистор SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

Type of transistor: P-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -8.4 A
Pulsed drain current: -30 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI4943BDY-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-8.4 A
Pulsed drain current	-30 A
Power dissipation	2 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	31 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	25nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.