VISHAY

Транзистор SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 4.6 A
Pulsed drain current: 20 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Вариант поставкиДоступно к заказу 2 491 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на 14.10, 04:18

Цена / шт. · с НДС 22%198,80 ₽

Кол-во, шт.

Сумма · с НДС 22%198,80 ₽

Оптовые цены и условия

Количество	Цена / шт.	Выбор
от 1	198,80 ₽
от 10	128,84 ₽
от 50	91,15 ₽
от 100	79,14 ₽
от 500	70,89 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителя	SI4936CDY-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	4.6 A
Pulsed drain current	20 A
Power dissipation	1.5 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	50 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	9nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A

Документация

Документ производителя