Антава

VISHAY

Транзистор SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
6.9 A
Pulsed drain current
30 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI4936BDY-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current6.9 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation2.8 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance51 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 30A

Документация

Документы пока не предоставлены.