VISHAY

Транзистор SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 8 A
Pulsed drain current: 30 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI4932DY-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	8 A
Pulsed drain current	30 A
Power dissipation	3.2 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	17 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	48nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A

Документация

Документы пока не предоставлены.