Антава

VISHAY

Транзистор SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-5.9 A
Рассеиваемая мощность
5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 541 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%315,06 ₽

Сумма · с НДС 22%315,06 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1315,06 ₽
от 5238,55 ₽
от 10209,29 ₽
от 50153,41 ₽
от 100134,28 ₽
от 50099,77 ₽
от 100089,46 ₽
от 250077,64 ₽
от 500070,89 ₽
от 750069,01 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4925DDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-5.9 A
Рассеиваемая мощность5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance41 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8

Документация

Документ производителя