Антава

VISHAY

Транзистор SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
8A
Pulsed drain current
35A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI4922BDY-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current8A
Pulsed drain current35A
Power dissipation3.1W
КорпусSO8
Gate-source voltage±12V
On-state resistance24mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 35A

Документация

Документы пока не предоставлены.