VISHAY

Транзистор SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 9.5 A
Pulsed drain current: 50 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI4896DY-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	9.5 A
Pulsed drain current	50 A
Power dissipation	3.1 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	22 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	41nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 9.5A; Idm: 50A

Документация

Документы пока не предоставлены.