Антава

VISHAY

Транзистор SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
9.5A
Pulsed drain current
40A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI4894BDY-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current9.5A
Pulsed drain current40A
Power dissipation2.5W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance16mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A

Документация

Документ производителя