Антава

VISHAY

Транзистор SI4835DDY-T1-GE3

SI4835DDY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-7.7 A
Pulsed drain current
-50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 16 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%140,58 ₽

Сумма · с НДС 22%140,58 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1140,58 ₽
от 10113,21 ₽
от 50100,28 ₽
от 10088,28 ₽
от 50080,79 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4835DDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-7.7 A
Pulsed drain current-50 A
Рассеиваемая мощность3.6 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge65nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A

Документация

Документы пока не предоставлены.