Антава

VISHAY

Транзистор SI4599DY-T1-GE3

SI4599DY-T1-GE3
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40/-40 V
Drain current
6.8/-5.8 A
Power dissipation
3.1/3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI4599DY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40/-40 V
Drain current6.8/-5.8 A
Power dissipation3.1/3 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance62/42.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38/20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A

Документация

Документы пока не предоставлены.