Антава

VISHAY

Транзистор SI4564DY-T1-GE3

SI4564DY-T1-GE3
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40/-40 V
Drain current
8/-7.4 A
Pulsed drain current
40 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI4564DY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40/-40 V
Drain current8/-7.4 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation2/2.1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±16 V, ±20 V
On-state resistance17.5/21 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge31/63nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-7.4A

Документация

Документы пока не предоставлены.