Антава

VISHAY

Транзистор SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-29 A
Power dissipation
5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 292 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%495,13 ₽

Сумма · с НДС 22%495,13 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1495,13 ₽
от 50410,36 ₽
от 100373,76 ₽
от 125358,34 ₽
от 250317,88 ₽
от 500265,87 ₽
от 1000256,23 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4497DY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-29 A
Power dissipation5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge90nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8

Документация

Документ производителя