Антава

VISHAY

Транзистор SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
2.85 A
Pulsed drain current
40 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI4490DY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current2.85 A
Pulsed drain current40 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A

Документация

Документы пока не предоставлены.