Антава

VISHAY

Транзистор SI4490DY-E3

SI4490DY-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
3.2 A
Power dissipation
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI4490DY-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current3.2 A
Power dissipation3.1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8

Документация

Документ производителя