Антава

VISHAY

Транзистор SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
2.8 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI4488DY-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current2.8 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W

Документация

Документы пока не предоставлены.