Антава

VISHAY

Транзистор SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-15.4 A
Рассеиваемая мощность
3.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 449 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%221,89 ₽

Сумма · с НДС 22%221,89 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1221,89 ₽
от 5197,65 ₽
от 25175,28 ₽
от 100160,36 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4483ADY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-15.4 A
Рассеиваемая мощность3.8 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance8.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8

Документация

Документ производителя