VISHAY

Транзистор SI4465ADY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8 V
Drain current: -13.7 A
Pulsed drain current: -40 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI4465ADY-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-8 V
Drain current	-13.7 A
Pulsed drain current	-40 A
Power dissipation	3 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	16 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	85nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A

Документация

Документы пока не предоставлены.