VISHAY

Транзистор SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -4.5 A
Pulsed drain current: -30 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI4447DY-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-4.5 A
Pulsed drain current	-30 A
Рассеиваемая мощность	2 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±16 V
On-state resistance	72 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	14nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.5A; Idm: -30A

Документация

Документы пока не предоставлены.