Антава

VISHAY

Транзистор SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-7.2 A
Pulsed drain current
-20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 43 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%184,32 ₽

Сумма · с НДС 22%184,32 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1184,32 ₽
от 10110,04 ₽
от 2098,24 ₽
от 10075,57 ₽
от 50059,35 ₽
от 100057,32 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4447ADY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-7.2 A
Pulsed drain current-20 A
Рассеиваемая мощность4.2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance62 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.