Антава

VISHAY

Транзистор SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-12.6 A
Pulsed drain current
-32 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 52 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%143,28 ₽

Сумма · с НДС 22%143,28 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1143,28 ₽
от 1080,02 ₽
от 5062,52 ₽
от 10056,38 ₽
от 50043,54 ₽
от 250038,52 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4435FDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-12.6 A
Pulsed drain current-32 A
Рассеиваемая мощность4.8 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A

Документация

Документ производителя