Антава

VISHAY

Транзистор SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-6.5 A
Pulsed drain current
-50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 887 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%225,05 ₽

Сумма · с НДС 22%225,05 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1225,05 ₽
от 10126,22 ₽
от 50100,15 ₽
от 10090,40 ₽
от 50070,52 ₽
от 100063,01 ₽
от 250059,45 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4435DDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-6.5 A
Pulsed drain current-50 A
Power dissipation3.2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A

Документация

Документы пока не предоставлены.