Антава

VISHAY

Транзистор SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-6.5 A
Pulsed drain current
-50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 141 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%202,11 ₽

Сумма · с НДС 22%202,11 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1202,11 ₽
от 1099,91 ₽
от 10082,75 ₽
от 50073,22 ₽
от 100068,07 ₽
от 250061,59 ₽
от 500057,01 ₽
от 750054,91 ₽
от 1250053,39 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4435DDY-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-6.5 A
Pulsed drain current-50 A
Power dissipation3.2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A

Документация

Документ производителя