Антава

VISHAY

Транзистор SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
4.1 A
Pulsed drain current
25 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI4434ADY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current4.1 A
Pulsed drain current25 A
Рассеиваемая мощность6 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.17 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 4.1A; Idm: 25A; 6W

Документация

Документы пока не предоставлены.