Антава

VISHAY

Транзистор SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-7.2 A
Pulsed drain current
-30 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 653 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%286,51 ₽

Сумма · с НДС 22%286,51 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1286,51 ₽
от 10151,90 ₽
от 50128,66 ₽
от 100119,11 ₽
от 50096,76 ₽
от 100087,21 ₽
от 250074,60 ₽
от 500065,23 ₽
от 750062,53 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4431CDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-7.2 A
Pulsed drain current-30 A
Рассеиваемая мощность2.7 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance32 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A

Документация

Документы пока не предоставлены.